技術(shù)編號：3759405
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及熒光半導(dǎo)體納米材料制備，特別涉及到一種低成本，環(huán)保，簡單，可控的合成高質(zhì)量CuInZnxS2+x/ZnS (O ^ x ^ I)核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米晶的方法。背景技術(shù)在可見光-近紅外熒光半導(dǎo)體納米晶制備方面，以往人們主要研究熱點(diǎn)集中在CdTe, CdSe, PbS, PbSe以及CdxHgLxTe等上。由于這些納米晶含Cd，Pb，Hg等毒性元素，并且在納米晶制備方法上還存在著使用易燃易爆的前驅(qū)體，因此限制了其未來在光電器件以及生物標(biāo)記等領(lǐng)域的應(yīng)用。...
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