技術(shù)編號：3774097
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。HDP-CVD應(yīng)用的高輪廓最小接觸工藝套組背景技術(shù)在現(xiàn)代的半導體裝置制造中，主要步驟之一為通過氣體的化學反應(yīng)而在半導體晶 片上形成一薄膜。這一類沉積工藝稱為化學氣相沉積"CVD"。常用的熱CVD工藝供應(yīng)反應(yīng) 性氣體至一晶片表面，而在該晶片表面發(fā)生熱誘發(fā)化學反應(yīng)以制造一所需薄膜。另一方面， 等離子增強化學氣相沉積("PECVD")技術(shù)通過施加射頻(RF)能量至接近晶片表面的反應(yīng) 區(qū)域，從而產(chǎn)生等離子來促進反應(yīng)物氣體的激發(fā)及/或解離。與習用的熱CVD工藝相比，...
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