技術(shù)編號：38485817
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于深紫外光電材料領(lǐng)域，具體涉及一種適用于aln的hvpe反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、近年來，以al(ga)n為基礎(chǔ)的深紫外光電器件和電子器件快速發(fā)展，越來越多地呈現(xiàn)出對aln同質(zhì)襯底的需求，以克服異質(zhì)外延伴隨的應(yīng)力、缺陷和熱管理等嚴重問題。對于以高al組分algan為核心的深紫外光電器件，aln單晶襯底具有不可替代的作用。algan多量子阱發(fā)光效率與位錯密度有明確的相關(guān)性，基于aln襯底上同質(zhì)外延，可以生長高質(zhì)量的algan材料，同時得益于aln高熱導(dǎo)特性獲得散熱優(yōu)勢，可同時實現(xiàn)深紫外光電器...
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