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      一種碳化硅晶體生長設備的制作方法技術資料下載

      技術編號:39345963

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      本發(fā)明涉及碳化硅晶體制備,具體為一種碳化硅晶體生長設備。背景技術、碳化硅晶體是一種重要的半導體材料,其晶體結構具有多種形態(tài),主要分為六方或菱面體的α-sic和立方體的β-sic兩大類,它具有一系列優(yōu)良的特性,比如高硬度、高熱導率、高化學穩(wěn)定性等,碳化硅在電子、電力、光電等領域有著廣泛的應用,在電子領域,可用于制作高溫、高頻、大功率的電子器件;在電力領域,可應用于制造電力電子器件,提高電能轉(zhuǎn)換效率和可靠性;在光電領域,對其特性的開發(fā)利用也在不斷深入,一般通過物理氣相傳輸法(pvt)、高溫化學氣相...
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