技術(shù)編號(hào)：39346106
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備工藝領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體器件的制備方法。背景技術(shù)、隨著dram等器件尺寸的不斷微縮，器件的寄生電容急劇上升，會(huì)明顯降低電路的工作速度。因此，需要使用介電常數(shù)較低的材料作為間隔物來降低寄生電容，而空氣則被認(rèn)為是最為理想的低k材料。目前，通常在單元區(qū)域的柵極中采用空氣側(cè)墻來降低寄生電容，外圍區(qū)域的柵極通過減薄多晶硅厚度來降低寄生電容。然而隨著器件的不斷微所，外圍區(qū)域多晶硅柵極的厚度已接近極限，遇到了瓶頸。、為了解決以上問題，提出本發(fā)明。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。