技術(shù)編號(hào)：39346235
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及晶體生長，更具體地說，它涉及一種不傷坩堝的余料處理方法。背景技術(shù)、銥坩堝通常用于高溫晶體生長，晶體生長過程中一些異常情況往往影響銥坩堝壽命，甚至造成直接銥坩堝損壞。例如突然停電造成晶體料迅速凝固，此時(shí)凝固的晶體料會(huì)在坩堝中心形成大縮孔，其它區(qū)域主要是堅(jiān)固且連續(xù)的晶體料；若按正常工藝重新化料生長，靠近坩堝堝幫的晶體料將最先局部熔化，液態(tài)的體積比固態(tài)明顯大，此時(shí)熔體若沒有通道泄壓，就會(huì)擠壓坩堝堝幫變形，使之膨脹受損；另外，在晶體生長過程中，其上方保溫材料可能局部剝落掉入坩堝內(nèi)，影響晶體原...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。