技術(shù)編號(hào):39346698
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,具體而言,涉及一種降低發(fā)熱體打火的碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置和碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法。背景技術(shù)、碳化硅是一種優(yōu)質(zhì)的寬帶隙半導(dǎo)體材料,其具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速率等優(yōu)點(diǎn),可以滿(mǎn)足高溫、大功率、低損耗大直徑器件的需求。pvt法(物理氣相傳輸法)是獲得碳化硅單晶的常用方法。pvt法制備碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理是:使高純碳化硅原料在高溫下分解形成氣態(tài)物質(zhì),這些氣態(tài)物質(zhì)在過(guò)飽和度的驅(qū)動(dòng)下,升華至冷端的籽晶處即可生長(zhǎng)形成碳化硅單晶。、相關(guān)技術(shù)中采用電阻加熱的方式對(duì)石墨坩堝進(jìn)...
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