技術編號：39346710
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，特別涉及一種半導體器件及其制備方法。背景技術、soi（絕緣體上硅）工藝是一種平面工藝技術，依賴于兩項主要技術創(chuàng)新:?首先，在襯底上面制作一個絕緣層，又稱埋氧層；其次用一個硅膜制作晶體管溝道，因為溝道非常薄，無需對通道進行摻雜工序。從結(jié)構上看，soi晶體管的靜電特性優(yōu)于傳統(tǒng)體硅技術，包括：soi晶體管的埋氧層可以降低源極和漏極之間的寄生電容，還能有效地抑制電子從源極流向漏極，從而大幅降低導致性能下降的漏電流；此外，soi晶體管還具有許多其他方面的獨特優(yōu)點，包括具有背面偏置能力、...
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