技術(shù)編號：39447641
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本技術(shù)屬于碳化硅，涉及碳化硅外延生長，尤其涉及一種碳化硅外延生長環(huán)形夾具。背景技術(shù)、以sic材料為代表的第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移等特點，特別適合制作高溫、高壓、高頻、大功率、抗輻照等半導(dǎo)體器件。、控制碳化硅外延缺陷是制備高性能器件的關(guān)鍵，缺陷會對碳化硅功率器件的性能和可靠性有嚴(yán)重影響。碳化硅外延層中的缺陷，包括襯底缺陷(微管、貫穿螺型位錯tsd、貫穿刃型位錯ted、基平面位錯bpd)、外延生長期間的位錯與宏觀缺陷(三角形缺陷、胡蘿卜缺陷/彗...
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