技術(shù)編號：39547758
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請屬于刻蝕工藝，更具體地，涉及一種不同槽寬實現(xiàn)同步等速率刻蝕方法及其掩膜獲取方法。背景技術(shù)、在mems(micro?electro-mechanical?system)器件制造過程中，往往需要在同一結(jié)構(gòu)層中加工同一深度但寬度不同的槽來實現(xiàn)其各自的功能。但是通常刻蝕掩膜設(shè)計下，不同寬度的槽因為負(fù)載效應(yīng)，表現(xiàn)出不同的刻蝕速率，從而導(dǎo)致槽的刻蝕深度有差異，在很多情況下會帶來不利的工藝后果。比如說，在基于soi(silicon-on-insulator)的硅結(jié)構(gòu)刻蝕中，先刻蝕到氧化層的槽，在等待其...
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