技術(shù)編號(hào):39573620
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。背景技術(shù)、在半導(dǎo)體器件中,通常需要形成貫穿襯底和襯底上的功能層的通孔,以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能,例如,半導(dǎo)體過(guò)濾篩、硅通孔(through?silicon?via,tsv)結(jié)構(gòu)等。半導(dǎo)體過(guò)濾篩為微機(jī)電系統(tǒng)中的一種部件。半導(dǎo)體過(guò)濾篩中需要形成貫穿襯底以及襯底上的功能層的通孔。、近年來(lái),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)和微機(jī)電系統(tǒng)(mems)技術(shù)的快速發(fā)展促使了傳感器單片集成的快速發(fā)展。集成cmos-mems技術(shù)制造的傳感器具有可靠性好、體積小、高...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。