技術(shù)編號(hào)：39577001
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于形成圍繞至少一個(gè)槽口的多層結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明也涉及一種具有多層結(jié)構(gòu)的裝置。背景技術(shù)、在us,,b中描述了一種用于在單晶硅晶片中形成被硅膜覆蓋的空穴的工藝。在實(shí)施該傳統(tǒng)工藝時(shí)，首先在硅晶片中蝕刻大量溝槽，使得從硅晶片結(jié)構(gòu)化出大量柱狀結(jié)構(gòu)。隨后通過硅層的外延沉積將溝槽封閉。之后在氫氣氛圍中℃實(shí)施高溫退火步驟分鐘，其中，通過使先前從硅晶片結(jié)構(gòu)化出的柱狀結(jié)構(gòu)的材料向周圍移位，硅層應(yīng)該可轉(zhuǎn)換為預(yù)期的硅膜，該硅膜跨越在之前的溝槽處的沒有柱狀結(jié)構(gòu)的空穴。技術(shù)實(shí)...
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