技術(shù)編號：39599948
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微系統(tǒng)（mems）及晶圓級封裝領(lǐng)域，具體是一種晶圓級soi硅片陽極鍵合方法。背景技術(shù)、目前在微系統(tǒng)（mems）及晶圓級封裝領(lǐng)域，基于soi硅片的陽極鍵合可應(yīng)用于與外部環(huán)境隔離的器件中，與bcb鍵合、硅硅鍵合相比，具有成本低、易加工等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于壓力傳感器、慣性陀螺、加速度計(jì)中。一般陽極鍵合采用單拋硅片或雙拋硅片與玻璃片進(jìn)行鍵合，在加工過程中需要將硅片和玻璃片加熱到℃~℃，再施加~v的直流電壓實(shí)現(xiàn)電荷的轉(zhuǎn)移，進(jìn)而在鍵合面形成穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)層。因此在加工過程中...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。