技術(shù)編號：39605847
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種具有交錯式p柱結(jié)構(gòu)的超結(jié)mosfet器件。背景技術(shù)、在相關(guān)技術(shù)中，超結(jié)mosfet器件在新能源汽車、直流充電樁等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。當超結(jié)mosfet體二極管在電路中被用作續(xù)流二極管時，其狀態(tài)會從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂梗隗w二極管正向?qū)〞r，空穴載流子注入效率增強，n型漂移區(qū)存儲的空穴載流子遠高于傳統(tǒng)的mosfet，少數(shù)載流子存儲效應(yīng)更加明顯。同時，在超結(jié)mosfet體二極管反向恢復(fù)電荷和反向恢復(fù)峰值電流會隨之增加，而峰值電流的增加容易造成器件熱燒毀。此外，在漂移區(qū)...
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