技術(shù)編號：39615075
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種疊層結(jié)構(gòu)及其制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中晶體管對應(yīng)制程的工藝節(jié)點遵循摩爾定律在不斷縮小。并且，隨著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)尺寸的進(jìn)一步微縮，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)工藝已逐漸進(jìn)入瓶頸。在此基礎(chǔ)上，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)例如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dynamic?random?accessmemory，dram)從二維結(jié)構(gòu)向三維結(jié)構(gòu)發(fā)展，可以帶來較多突破，以有效提升dram性能。、目前，對于采用多層水平結(jié)構(gòu)的三維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，多采用外延生長工藝進(jìn)行各水平...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。