技術編號：39619031
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。所公開及要求保護的主題涉及適用于將介電膜選擇性沉積于非金屬基板上的高純度炔烴。特別地，所公開及要求保護的主題涉及高純度炔烴及其用于增強金屬基板的鈍化的用途。背景技術、含過渡金屬膜用于半導體及電子應用中?；瘜W氣相沉積(cvd)及原子層沉積(ald)已用作用于產(chǎn)生用于半導體裝置的薄膜的主要沉積技術。這些方法可通過含金屬化合物(前體)的化學反應實現(xiàn)保形膜(金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硅化物，及類似物)。該化學反應發(fā)生于可包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硅化物及其他表面的表面上。于cvd及...
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