技術(shù)編號(hào)：39619032
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及由iii族氮化物半導(dǎo)體(以下有時(shí)簡(jiǎn)稱為“氮化物半導(dǎo)體”)構(gòu)成的氮化物半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù)、iii族氮化物半導(dǎo)體是指在iii-v族半導(dǎo)體中使用氮作為v族元素的半導(dǎo)體。以氮化鋁(aln)、氮化鎵(gan)、氮化銦(inn)為代表例。一般而言，可以表示為alxinyga-x-yn(≤x≤，≤y≤，≤xy≤)。、作為安裝于高頻放大器的氮化物半導(dǎo)體裝置，已知有hemt(high?electronmobility?transistor；高電子遷移率晶體管)，其具備具...
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