技術(shù)編號：39619039
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中使用的反射型掩模坯料的制造方法、反射型掩模坯料以及聚焦離子束加工裝置。背景技術(shù)、近年來，在光刻技術(shù)中，使用了極紫外(extreme?ultra?violet：以下稱為euv)光的曝光技術(shù)被認(rèn)為是有前途的。euv光是指軟x射線區(qū)域或真空紫外線區(qū)域的波段的光，其波長為.～nm左右。這樣的短波段的光無法透過光學(xué)構(gòu)件，因此，在目前為止利用的光透射型掩模中，euv光無法到達(dá)光致抗蝕劑。因此，作為使用了該euv光的曝光用掩模，使用光不穿過掩模內(nèi)的反射型掩模。、該反射...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。