技術編號：39619081
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及半導體，具體而言，本申請涉及一種垂直晶體管陣列及其制造方法、存儲器。背景技術、隨著半導體器件集成化技術的發(fā)展，對于以垂直晶體管陣列為代表的半導體器件而言，垂直晶體管陣列的存儲密度較高。、垂直晶體管陣列中漏極與位線形成金屬半導體接觸，要降低漏極和位線的接觸電阻需要在漏極和位線的接觸界面進行高濃度摻雜；在摻雜后需經(jīng)退火實現(xiàn)摻雜元素向有源柱底擴散，但是由于擴散距離較遠和擴散的高濃度區(qū)域在后續(xù)工藝中被挖除，從而造成接觸界面的摻雜濃度較低，進而導致漏極和位線的接觸電阻較高。技術實現(xiàn)思路、本...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。