技術編號：39619458
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開涉及一種多晶碳化硅(sic)基礎基板或晶片，其包括在第一側處的第一密度、在與第一側相對的第二側處的第二密度以及從第二側向第一側增加的密度梯度。背景技術、半導體行業(yè)已對碳化硅(sic)表現(xiàn)出極大的關注，特別是用于電子設備或部件(例如，二極管、晶體管或其它相似功率應用)的制造。、基于碳化硅的電子設備的開發(fā)和制造受到諸如形成碳化硅晶片的電特性和機械特性之類因素的限制。許多碳化硅晶片在晶片的整個長度、寬度和厚度上具有均勻(例如，相同或基本相同)的密度。、在碳化硅晶片上耦合或形成另外的層之前，...
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