技術(shù)編號(hào)：39621113
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種防止氣體泄漏的氣源供給系統(tǒng)及化學(xué)氣相沉積設(shè)備。背景技術(shù)、化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝是一種以多種化學(xué)氣體為反應(yīng)物，在反應(yīng)腔室進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在目標(biāo)襯底上沉積生成物，形成均勻致密薄膜的技術(shù)。、參與化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)物由氣源供給系統(tǒng)提供。氣源供給系統(tǒng)的氣密性要求嚴(yán)格，一旦反應(yīng)物泄漏，會(huì)污染、危害環(huán)境，部分反應(yīng)物的化學(xué)性質(zhì)活潑，在接觸微量氧氣或水汽后，有燃燒爆炸等安全風(fēng)險(xiǎn)，危害操作人員生命安全。因此，氣源供給系統(tǒng)既要防止反應(yīng)物向外界泄漏，又要阻擋空氣中的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。