技術(shù)編號(hào)：39621686
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硅集成芯片器件，具體涉及一種硅集成芯片器件及其制備方法。背景技術(shù)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)應(yīng)用通常要搭配續(xù)流二極管。igbt和該續(xù)流二極管并聯(lián)使用，或?qū)gbt芯片和續(xù)流二極管芯片封裝成模塊應(yīng)用。通常續(xù)流二極管為快恢復(fù)二極管(frd)。由于igbt和frd都有少子存儲(chǔ)效應(yīng)，所以開關(guān)工作時(shí)有較長的恢復(fù)時(shí)間，即存在開關(guān)時(shí)延長的缺陷。而肖特基勢(shì)壘二極管(sbd)是多子器件，沒有少子存儲(chǔ)效應(yīng)，所以開關(guān)工作時(shí)恢復(fù)時(shí)間很短，也就是開關(guān)時(shí)延短，同時(shí)具有低正向阻抗。但是sbd由于是金屬勢(shì)壘結(jié)其反...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。