技術(shù)編號(hào):39622771
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光伏,尤其涉及一種topcon太陽(yáng)能電池的制備方法。背景技術(shù)、topcon(tunnel?oxide?passivation?contact)電池全稱為隧穿氧化鈍化接觸電池,其核心在于背面超薄的隧穿氧化層以及摻雜的多晶硅層,隧穿氧化層和摻雜多晶硅層共同形成鈍化接觸結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)不僅利用超薄氧化硅層(siox)層提供有效的化學(xué)鈍化,同時(shí)通過(guò)摻雜多晶硅層與硅基底之間勢(shì)能差實(shí)現(xiàn)了良好的場(chǎng)效應(yīng)鈍化,該結(jié)構(gòu)還通過(guò)能帶彎曲使得多數(shù)載流子穿過(guò)氧化層,對(duì)少數(shù)載流子起阻擋作用,有效地實(shí)現(xiàn)了載流子的選擇通...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。