技術(shù)編號(hào)：39622909
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁懸浮，具體是一種位移測(cè)量與懸浮控制一體化的磁懸浮轉(zhuǎn)臺(tái)。背景技術(shù)、在半導(dǎo)體制造中，一方面，晶圓的潔凈度很重要,因?yàn)榫A表面的潔凈度會(huì)影響后續(xù)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品的合格率，為了達(dá)到超潔凈的需要，硅或其他半導(dǎo)體材料的晶圓必須在受控的超清潔氣氛中處理。比如，在晶圓的制造過(guò)程中，一個(gè)制造步驟是在離子注入摻雜之后對(duì)晶圓進(jìn)行退火。摻雜在晶體結(jié)構(gòu)上施加應(yīng)變，如果應(yīng)力不能得到快速釋放,將導(dǎo)致離子摻雜的電阻率發(fā)生不希望的變化。目前，通常采用快速熱處理工藝?(rt)?進(jìn)行退火處理。再一方面，晶圓的處理均勻性...
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