技術(shù)編號：39754820
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體地，涉及一種包括場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)、半導(dǎo)體器件包括具有金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)的集成電路。隨著半導(dǎo)體器件的尺寸和設(shè)計規(guī)則逐漸地減少，mosfet的尺寸也日益按比例縮小。mosfet的按比例縮小可能使半導(dǎo)體器件的工作特性劣化。因此，已經(jīng)進(jìn)行各種研究來開發(fā)制造具有小規(guī)模而沒有劣化的工作特性的半導(dǎo)體器件的方法。技術(shù)實現(xiàn)思路、一些實施例提供了一種具有提高的可靠性和改善的電氣性質(zhì)的半導(dǎo)體器件。、一些實施例提供了一...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。