技術(shù)編號：40076279
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請屬于晶片加工，具體涉及一種襯底片加工方法。背景技術(shù)、碲鋅鎘晶體是一種新型三元化合物半導(dǎo)體，由于其性能優(yōu)異，具有較高的電阻率、較大的禁帶寬度(隨著摻雜鋅含量的變化，禁帶寬度從.ev至.ev連續(xù)變化)，對x射線及γ射線具有非常好的分辨率，可用于天文、醫(yī)學(xué)、軍事等領(lǐng)域的各類探測器等器材中。同時，由于其結(jié)構(gòu)與碲鎘汞(mct)及其匹配，因此是mct最佳的襯底材料。、目前襯底片通常是采用化學(xué)機械拋光進行表面處理，但是在化學(xué)機械拋光后，還是容易出現(xiàn)襯底片表面缺陷多以及粗糙度滿足不了要求的情...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。