技術(shù)編號(hào)：40272042
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及化學(xué)氣相沉積設(shè)備。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，外延晶圓作為半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其需求量正迅速增長。外延晶圓是利用化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition，cvd)技術(shù)在拋光晶圓的表面上生長一層外延層來制造得到的。通常來說，外延層的厚度不均一會(huì)對半導(dǎo)體器件的品質(zhì)以及性能產(chǎn)生極大的影響，而外延層的厚度是否均一與化學(xué)氣相沉積過程中的溫度分布具有很大的關(guān)聯(lián)性。、目前，在化學(xué)氣相沉積過程中并沒有能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)控溫度分布的系統(tǒng)，外延層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。