技術(shù)編號(hào)：40272454
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及碳化硅粉料的合成，具體是一種碳化硅粉料合成坩堝及碳化硅粉料的合成方法。背景技術(shù)、這里的陳述僅提供與本發(fā)明相關(guān)的背景技術(shù)，而不必然地構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。、碳化硅(sic)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，具有寬禁帶、高電子飽和漂移速度、高臨界擊穿電壓、高熱導(dǎo)率及耐高溫等優(yōu)異特性?；谝陨咸攸c(diǎn)，碳化硅在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波等電子應(yīng)用領(lǐng)域，以及航天、軍工、核能等極端環(huán)境中具有無可替代的優(yōu)勢(shì)。、目前，高溫自蔓延法是合成碳化硅粉料的主流方法。具體過程如下：將高純石墨粉...
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