技術(shù)編號：40273730
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備，尤其涉及半導(dǎo)體工藝等離子體化學(xué)氣相沉積(cvd)設(shè)備的噴淋板。背景技術(shù)、在現(xiàn)有技術(shù)中，半導(dǎo)體工藝等離子體化學(xué)氣相沉積(cvd)設(shè)備中，不同的反應(yīng)源氣體或液態(tài)源通過噴淋板噴淋至晶圓表面，因此，噴淋板在半導(dǎo)體工藝中的設(shè)計(jì)極為重要，而不同噴淋板的開孔分布區(qū)域也對工藝過程及清洗過程有不同的影響。、例如，噴淋板開孔面積過小時(shí)會造成晶圓邊緣厚度偏低、清潔效果不佳的問題。又例如，噴淋板開孔面積過大時(shí)會造成加熱盤等位置出現(xiàn)薄膜，產(chǎn)生顆粒，導(dǎo)致需要頻繁地進(jìn)行拆裝和清潔工作，為腔體的維護(hù)帶...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。