技術(shù)編號：40275585
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及半導(dǎo)體外延設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種提升sic外延生長穩(wěn)定性的承載裝置。背景技術(shù)、碳化硅(silicon?carbide,簡稱sic)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，具有臨界擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速度、大禁帶寬度、抗輻射能力強(qiáng)等特點，極大地提高了功率器件的能量轉(zhuǎn)換效率，滿足了下一代電力電子裝備更大功率、更小體積、更適應(yīng)高溫高輻射等惡劣環(huán)境的要求，在超高壓輸電網(wǎng)、新能源汽車以及軌道交通等諸多領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。、與si器件不同，sic器件不能直接在單晶襯底上制作，而...
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