技術(shù)編號(hào)：40275856
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子，具體涉及一種多晶金剛石基異質(zhì)外延氧化鎵薄膜及其制備方法。背景技術(shù)、作為新興的第三代半導(dǎo)體材料，氧化鎵(gao)材料憑借超寬的禁帶寬度、優(yōu)異的材料特性在半導(dǎo)體領(lǐng)域備受青睞。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料(如硅、砷化鎵等)和寬禁帶半導(dǎo)體材料(如碳化硅、氮化鎵等)相比，gao的禁帶寬度更寬，臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在高壓、高頻、大功率等領(lǐng)域具有更突出的優(yōu)勢(shì)。、在傳統(tǒng)的主流工藝中，由于大尺寸的氧化鎵襯底成本高昂，氧化鎵薄膜都是在藍(lán)寶石、硅、碳化硅等異質(zhì)材料襯底上進(jìn)行外延的。但是對(duì)于散熱要求較高的高...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。