技術(shù)編號：40275994
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體制造，具體涉及一種電化學機械拋光設(shè)備。背景技術(shù)、碳化硅(sic)作為第三代半導體材料的代表，是一種綜合性能優(yōu)異的半導體材料，具有高熱導率、高臨界擊穿電場、高飽和電子漂移速率、高鍵合能、寬禁帶燈特點，是高頻、高溫、大功率、抗輻照電子器件及傳感器件的優(yōu)選材料，在航空、航天、雷達、通信領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。、本實由于碳化硅晶體本身的高硬度、高脆性、高穩(wěn)定性等特點，使得碳化硅晶圓拋光效率難以保證，而傳統(tǒng)的化學機械拋光技術(shù)由于拋光壓力較大，晶圓易發(fā)生變形，從而導致晶圓表面損傷，且晶圓拋...
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