技術(shù)編號：40276644
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體材料外延生長領域，涉及但不限定于一種雙層纖維掩模襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法、外延生長方法。背景技術(shù)、作為第三代半導體材料的代表之一，氮化鎵(gan)材料具有優(yōu)異的物理及化學性質(zhì)。該材料為直接帶隙半導體材料且?guī)犊赏ㄟ^能帶工程進行靈活調(diào)節(jié)，進而可以實現(xiàn)從藍紫光到紅外波長范圍內(nèi)的led等發(fā)光器件。此外，gan材料耐腐蝕性強且可以承受很高的擊穿電壓，因此也被運用于制作耐高壓器件。該半導體材料還具有優(yōu)良的熱導率且介電常數(shù)大，因此也被用于高頻器件的制作。正是由于gan半導體材料的種種優(yōu)勢，在半...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。