技術(shù)編號：40277011
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及原子層沉積，特別涉及一種原子層沉積設(shè)備。背景技術(shù)、原子層沉積是通過對基材通入反應(yīng)氣體，從而在基材的表面形成鍍膜的薄膜制備技術(shù)，可在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。目前的沉積設(shè)備多設(shè)置有倉門，通過倉門的開關(guān)實(shí)現(xiàn)基材的上下料。、如中國專利公開號cna，公開了名為一種原子層沉積設(shè)備，涉及原子層沉積技術(shù)領(lǐng)域，包括外殼，外殼的頂部安裝設(shè)置有頂蓋，外殼的一側(cè)裝配設(shè)置有料口；承放臺的頂部通過連接柱固定連接有密封板，外殼內(nèi)位于反應(yīng)組件的上方設(shè)置有與承放...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。