技術(shù)編號：40279197
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體cvd，尤其涉及一種沉積制備裝置及外延膜沉積制備方法。背景技術(shù)、碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表,具有寬禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速度等優(yōu)異的特性,極大地擴展了功率器件的能量處理能力,能夠滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和高溫高輻射等惡劣條件下工作的技術(shù)要求,已經(jīng)在新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有充分的應(yīng)用。、由于碳化硅器件不能在晶片上直接制備,而是需要在碳化硅晶片上沉積一層外延膜,進而在外延膜層上生產(chǎn)器件，碳化硅外延...
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