技術(shù)編號：40280075
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及存儲器，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法。背景技術(shù)、目前，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)的工藝流程中，通常需要形成電容孔，并在電容孔中形成電容結(jié)構(gòu)的下電極。電容孔可以采用圖形化工藝形成，在圖形化過程中通過使用光阻劃分外圍區(qū)域(peri?area)和電容陣列區(qū)域(arrayarea),其中，被光阻覆蓋的區(qū)域為外圍區(qū)域，從而在光刻過程中，外圍區(qū)域由于受到光阻的覆蓋而不被刻蝕，僅在電容陣列區(qū)域中形成電容孔。、然而...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。