技術(shù)編號(hào)：40280310
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及相變材料的，具體的涉及一種用于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)熱管理的相變傳熱系統(tǒng)及模擬檢測(cè)方法。背景技術(shù)、隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，各種電動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置和電氣系統(tǒng)越來越廣泛地應(yīng)用于工業(yè)制造領(lǐng)域。在車輛制造領(lǐng)域，電動(dòng)汽車在世界各國(guó)得到了廣泛普及。從年到年，全球電動(dòng)乘用車數(shù)量從.百萬(wàn)輛增加到.百萬(wàn)輛，車輛上安裝的電子設(shè)備也在迅速發(fā)展。目前，該領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體主要由基于硅的絕緣柵雙極晶體管(igbts)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfets...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。