技術編號：40280785
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開涉及半導體，尤其涉及一種高壓硅電容以及電子設備。背景技術、硅電容器是以硅為主體、二氧化硅/氮化硅等薄膜材料為電介質(zhì)，采用半導體芯片制造工藝制作而成的電容器。憑借著超小尺寸、更高q值、低插損、穩(wěn)定性、可靠性、耐溫性、耐老化性和更低的漏電流等優(yōu)勢，率先在數(shù)據(jù)中心、航空航天、國防軍工、能源、通信、汽車、自動化及醫(yī)療等領域實現(xiàn)廣泛應用，并有望在多個領域全面取代傳統(tǒng)陶瓷電容。、為提升硅電容器的電容密度，可采用半導體深槽工藝來實現(xiàn)d硅電容，通過深溝槽來增加電容器的面積(s)，以提升電容密度。硅電...
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