技術(shù)編號：40280953
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛。背景技術(shù)、金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，mosfet)制備的半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻小、可高速運行且開關(guān)損耗低等優(yōu)點，是第三代寬禁帶半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件的發(fā)展方向。、現(xiàn)有的第三代寬禁帶半導(dǎo)體mosfet半導(dǎo)體器件的開關(guān)速率和器件可靠性還需要得到進一步提高，才能滿足實際應(yīng)用。技術(shù)實現(xiàn)思路、本發(fā)明...
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