技術(shù)編號：40281103
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于合金表面膜層處理領(lǐng)域，具體地涉及一種鍍膜裝置。背景技術(shù)、加熱盤為薄膜沉積過程中直接與晶圓接觸的部件，通過本身加熱，為薄膜沉積提供合適的工藝環(huán)境溫度，并充當(dāng)射頻回路中的下極板；薄膜沉積工藝中，陽極膜為鋁加熱盤提供了保護，陽極膜的均勻程度影響了工藝過程中的系統(tǒng)阻抗，影響了薄膜沉積的質(zhì)量。、常規(guī)陽極氟化或氧化方法使用金屬極板作為陰極，待氟化或氧化材料作為陽極，反應(yīng)生成陽極膜；而加熱盤尺寸大且形狀復(fù)雜，表面布有盲孔；常規(guī)的金屬極板只能放置于加熱盤的一側(cè)，導(dǎo)致電極側(cè)和無電極側(cè)的陽極膜厚度與質(zhì)...
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