技術(shù)編號(hào):40281667
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及芯片檢測(cè),更為具體地,涉及一種芯片測(cè)試裝置及方法。背景技術(shù)、在半導(dǎo)體芯片堆壘技術(shù)領(lǐng)域中,在芯片形成或出廠之前,需要對(duì)其相關(guān)性能進(jìn)行測(cè)試,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的質(zhì)量檢測(cè)、分級(jí)和不良品篩選等。目前,芯片堆壘的方式多種多樣,如hbm、wide-io或hmc等,在對(duì)此類芯片進(jìn)行測(cè)試時(shí),需要外部探針與芯片上的金屬凸點(diǎn)bump進(jìn)行接觸,從而實(shí)現(xiàn)測(cè)試信號(hào)及測(cè)試結(jié)果的傳輸。、但是,由于芯片上的各金屬凸點(diǎn)的尺寸微小并且比較脆弱,若采用現(xiàn)有的探針直接對(duì)金屬凸點(diǎn)進(jìn)行接觸測(cè)試,會(huì)導(dǎo)致金屬凸點(diǎn)的焊料端損傷,進(jìn)而影...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。