技術(shù)編號：40281964
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及透氣性塞及載置臺。背景技術(shù)、以往，在等離子體蝕刻裝置、等離子體cvd(chemical?vapor?deposition)裝置等的半導體制造裝置中，對用于抑制在產(chǎn)生等離子體時產(chǎn)生的放電的構(gòu)件進行了各種研究。例如，在專利文獻中記載有靜電卡盤。該靜電卡盤作為透氣性塞具備多個第一多孔質(zhì)部，所述第一多孔質(zhì)部包含具有多個孔的多個稀疏部分及具有比稀疏部分更高的密度的緊密部分。、但是，專利文獻所記載的以往的透氣性塞即使設置包含外周面的環(huán)狀的緊密部分，在軸向上貫通的孔、多孔質(zhì)的壁部所占的體積也...
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