技術(shù)編號：40282243
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及高電子遷移率晶體管，特別涉及一種高穩(wěn)定性柵極的高電子遷移率晶體管的制備方法。背景技術(shù)、現(xiàn)有的phemt(贗配高電子遷移率晶體管)的柵極制備方法主要是兩種，一種是直接將柵極金屬直接“站立”在phemt器件結(jié)構(gòu)層上，所示結(jié)構(gòu)在柵極金屬蒸鍍完成后，后續(xù)的金屬舉離、光刻膠去除等工藝過程中，懸空的柵極結(jié)構(gòu)容易發(fā)生斷裂或者內(nèi)部損傷；另一種是將柵極金屬整體貼靠在氮化物層上，用來增加?xùn)艠O的穩(wěn)定性，所示結(jié)構(gòu)柵極整體貼靠在氮化物層上，由于氮化物層通常具有較大的電容，這種柵極結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致phemt器件的高頻...
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