技術編號：40282367
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種適用于igbt驅動芯片的電平位移結構，具體涉及一種高速低功耗的電平位移電路。背景技術、在igbt驅動芯片中，電平位移(level?shift)電路用于實現(xiàn)驅動模塊在不同電壓域之間的轉換，其通過將將低壓域pwm控制信號轉換成高邊浮動電壓域的pwm控制信號，最終實現(xiàn)對高壓功率管開啟和關斷的控制。電平位移電路連接了低壓控制電路和高壓驅動輸出電路，為igbt驅動電路中的關鍵模塊，其速度、功耗等指標直接影響芯片的性能和可靠性。傳統(tǒng)電平位移電路的結構難以在速度和功耗之間平衡，只能在其中做取舍...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。