技術(shù)編號：40282761
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置、半導(dǎo)體工藝設(shè)備以及半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣控制方法。背景技術(shù)、hdp(high-density?plasma，高密度等離子體)工藝作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的關(guān)鍵一環(huán)，其核心在于通過高密度等離子體的作用，實現(xiàn)晶圓表面材料的精確刻蝕與沉積。、現(xiàn)有的hdp設(shè)備的進氣裝置導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)部的反應(yīng)氣體并不均勻，在hdp工藝過程中，為了確保晶圓厚度形貌(thk?profile)的均一性，需頻繁進行開腔操作以更換并調(diào)整噴嘴口徑，進而精確控制局部反...
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