技術(shù)編號(hào)：40282771
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種外延生長(zhǎng)方法及裝置。背景技術(shù)、晶圓的外延生長(zhǎng)工藝是半導(dǎo)體芯片制造的一個(gè)重要工藝，外延生長(zhǎng)是指在單晶硅襯底上，通過(guò)外延(epitaxy)技術(shù)生長(zhǎng)一層外延層(晶向與襯底晶向一致)的工藝過(guò)程。外延晶圓的整個(gè)生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶(多晶硅料拉制硅晶棒)→成型(切片研磨)→拋光(雙面拋光)→清洗(去除表面微粒、金屬離子和有機(jī)物)→外延(氣相沉積)五大工序，其中外延作為最后一道重要工序，可以改善拋光片的晶體性質(zhì)、原生缺陷、電阻率以及平坦度等。、外延層的電阻率均一性是表述外延層...
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