技術編號：40282809
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及自屏蔽封裝接地，尤其涉及一種自屏蔽封裝接地結構及其生產(chǎn)工藝方法。背景技術、目前封裝級電磁屏蔽設計主要是在芯片塑封后利用磁控濺射的方式在封裝外表面濺射金屬鍍層，一般是不銹鋼-銅-不銹鋼結構，利用金屬銅層對高頻信號的電磁波吸收和反射，實現(xiàn)封裝級電磁自屏蔽效果；但是，這種方案主要適用于帶有塑封外殼的fccsp(倒裝芯片級)封裝，而對于帶有金屬外殼封裝的fcbga(倒裝芯片球柵陣列封裝)方案不適用；另一方面，fcbga封裝本身是帶有散熱金屬外殼，但由于尺寸較大，往往是通過樹脂膠與基板形成粘接...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。