技術(shù)編號：40282810
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電磁自屏蔽封裝，尤其涉及一種電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝方法。背景技術(shù)、目前封裝級電磁屏蔽設(shè)計(jì)主要是在芯片塑封后利用磁控濺射的方式在封裝外表面濺射金屬鍍層，一般是不銹鋼-銅-不銹鋼結(jié)構(gòu)，利用金屬銅層對高頻信號的電磁波吸收和反射，實(shí)現(xiàn)封裝級電磁自屏蔽效果；但是，這種方式主要應(yīng)用在csp(封裝級)封裝，尤其是lga?p?i?n(柵格陣列封裝引腳)方式下，而對于bga(球柵陣列封裝)工藝，特別是沒有塑封包裹的大顆fcbga(倒裝芯片球柵陣列封裝)工藝，卻是很難應(yīng)用，原因在于磁控濺射時(shí)存在...
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