技術(shù)編號：40282834
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體檢測，尤其涉及一種溝槽mos的源區(qū)摻雜的監(jiān)測裝置及方法。背景技術(shù)、mosfet芯片是一種半導(dǎo)體分立器件，按照其物理結(jié)構(gòu)，可將mosfet芯片分類為平面mos和溝槽mos兩個大類。溝槽mos的加工過程包括溝槽的形成、控制柵的形成、體區(qū)和源區(qū)的形成、接觸孔和金屬電極的形成、中測等主要步驟。mosfet的源區(qū)通常位于體區(qū)的表層之中，源區(qū)的擴(kuò)散深度小于體區(qū)的擴(kuò)散深度，體區(qū)的摻雜類型與襯底和源區(qū)的摻雜類型相反，以n溝道m(xù)os為例，襯底的摻雜類型為n型，體區(qū)的摻雜類型為p型，源區(qū)的摻雜類型...
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