技術(shù)編號(hào)：40283123
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種旋轉(zhuǎn)噴淋頭系統(tǒng)、旋轉(zhuǎn)晶圓載臺(tái)系統(tǒng)及化學(xué)氣相沉積方法。背景技術(shù)、化學(xué)氣相沉積(cvd)是一種常用的薄膜沉積技術(shù)，通過在高溫下將反應(yīng)氣體分解或發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)材料并沉積在基底表面。cvd技術(shù)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光電子器件、功能涂層和納米材料等領(lǐng)域?，F(xiàn)有的cvd裝置在進(jìn)行反應(yīng)氣體分配時(shí)，往往面臨氣體流速不均、沉積厚度不均勻以及工藝控制難度大的問題，影響了薄膜的品質(zhì)和性能。、在常規(guī)的cvd裝置中，噴淋頭與晶圓載臺(tái)通常靜止或簡單旋轉(zhuǎn)，氣體流動(dòng)的穩(wěn)定...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。